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HT Semi

金譽(yù)半導(dǎo)體為通信端口應(yīng)用提供完整的解決方案,推出了一系列性能與可靠性兼具的優(yōu)化元器件。在機(jī)頂盒、有線調(diào)制解調(diào)器等設(shè)備中,我們的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管和肖特基二極管憑借低功耗、高效率的特性獲得廣泛應(yīng)用。這些二極管能有效防護(hù)敏感電路免受電壓尖峰沖擊,確保信號傳輸穩(wěn)定,這對現(xiàn)代通信系統(tǒng)至關(guān)重要。隨著數(shù)據(jù)傳輸速率和網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性要求的不斷提升,金譽(yù)半導(dǎo)體的產(chǎn)品在增強(qiáng)系統(tǒng)整體性能和耐用性方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

系統(tǒng)示意圖

AC/DC Power Supply Hot Swap and Monitoring DC-DC Converter CPU/GPU Power Supply Sequencing and Power Saving

金譽(yù)半導(dǎo)體針對大功率電源應(yīng)用,基于先進(jìn)的多層外延注入技術(shù),自主研發(fā)了高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品。該系列器件具有業(yè)界領(lǐng)先的比導(dǎo)通電阻(Rsp)和優(yōu)值系數(shù)(FOM,定義為Rsp×Qg),不僅采用優(yōu)化單元結(jié)構(gòu),還具備特殊改良的過渡區(qū)和終端設(shè)計(jì),展現(xiàn)出高電流密度、強(qiáng)短路能力、快速開關(guān)速度及優(yōu)異易用性等優(yōu)勢特性,完美契合客戶對高效率與高可靠性的嚴(yán)苛需求。

為滿足大功率電源的能效標(biāo)準(zhǔn),金譽(yù)半導(dǎo)體同步提供基于中低壓屏蔽柵溝槽(SGT)MOSFET的同步整流解決方案。其SGT MOSFET已廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)(BMS)等領(lǐng)域。當(dāng)SJ MOSFET與SGT MOSFET配合使用時(shí),可實(shí)現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率、更強(qiáng)健的系統(tǒng)性能及更低的綜合成本,特別適合高效率、高標(biāo)準(zhǔn)的電源應(yīng)用場景。